Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Топ:
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Интересное:
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Дисциплины:
2024-02-15 | 23 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Основой полупроводниковой технологии является создание переходов путем легирования. Сущность легирования состоит во внедрении легирующей примеси в кристаллическую решетку полупроводника и образование области с противоположным типом проводимости. Эта область ограничивается p-n переходом. Количество вводимой примеси должно быть достаточным для компенсации ранее введенной примеси и создания ее избытка.
Легирование можно осуществлять путем термической диффузии примеси в полупроводник, нагретый до высокой температуры, и внедрением ионов примеси с высокой энергией (ионное легирование). В настоящее время наиболее распространенным является метод диффузии.
Диффузией называют перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества и направленный в сторону убывания этой концентрации. Ввиду конечной скорости диффузии концентрация введенной примеси убывает в направлении от поверхности, через которую происходит диффузия, вглубь. Переход образуется на глубине , где концентрация введенной примеси оказывается равной концентрации исходной примеси .
При формировании диффузионных p – n – переходов диффузия, как правило, проводится в две стадии, за исключением диффузии донорных примесей (P, As, Sb) на глубину меньше 2 мкм. В этом случае диффузию проводят в одну стадию. Задачей расчета является определение температуры и времени диффузии на каждом этапе. Исходными данными для расчета являются поверхностная концентрация или поверхностное сопротивление диффузионной области и глубина залегания p – n – перехода .
Основное уравнение, используемое при расчете режимов диффузии -это равенство концентраций введенной и исходной примесей на глубине залегания p – n – перехода
|
, где концентрация введённой примеси на глубине залегания p-n перехода;
и |
В качестве легирующей примеси используется бор и фосфор, параметры которых представлены в таблице 3.1
Таблица 3.1 Параметры легирующих примесей
Из рисунка 2.7 видно, что для дальнейшего расчета необходимо определить поверхностную концентрацию диффузионной области p-типа. Так как по заданию не известна концентрация подложки, то из маркировки КЭФ – 0,1 видно, что объёмное сопротивление подложки . По графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К определяется концентрация примеси в подложке, которая составила .
Концентрация примеси в подложке определенная по графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия (Рис 3.1).
Рисунок 3.1– График зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К
|
|
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!