История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Процедура выполнения команд. Рабочий цикл процессора: Функционирование процессора в основном состоит из повторяющихся рабочих циклов, каждый из которых соответствует...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Дисциплины:
2024-02-15 | 23 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Типовой технологический процесс изготовления полупроводниковой ИМС на биполярных транзисторах сводится к формированию в пластине кремния транзисторных структур в количестве, необходимом для реализации всех активных и пассивных элементов, обеспечение изоляции между элементами и созданию внутрисхемных соединений.
Технологический процесс изготовления полупроводниковых ИМС включает следующие операции и процессы: подготовка пластины (подложки), эпитаксиальный процесс, окисление, фотолитография, диффузия, изоляция, металлизация и др. Одним из основных процессов планарной технологии является диффузия примесей в полупроводниковую пластину. Она проводится локально, т.е. в заданные участки пластины через маску из двуокиси кремния. Поочередная диффузия в кремний примесей р- и n- типов позволяет создавать последовательность нескольких n-р-переходов, необходимых для образования элементов.
|
|
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!