Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Топ:
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Интересное:
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
2017-08-24 | 382 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
В большинстве практических случаев ДУ используется как входной каскад многокаскадных усилительных ИС. Поэтому при разработке ДУ стремятся реализовать в нем значительное входное сопротивление для дифференциального сигнала. Одной из разновидностей таких устройств является ДУ на составных транзисторах (рис. 2.8). Здесь ГСТ изображен символически.
Отметим, что составной транзистор позволяет получить большой коэффициент усиления по току. При равенстве параметров транзисторов в плече ДУ его Rвхпл может быть рассчитано по формуле:
Rвх = β2Rэ,
где вместо R, следует подставить сопротивление эмиттерного перехода rэ, транзистора Т3 (или Т4).
Для получения больших Rвхпл целесообразно использовать ДУ в режиме малых токов (в микрорежиме), что будет приводить к возрастанию rэ. Кроме того, желательно применять транзисторы с высокими значениями β.
В рассматриваемом ДУ МДП-транзисторы Т1 и Т2 выполняют свои основные усилительные функции активных элементов, а ТЗ и Т4 - функции резисторов. Такой ДУ иногда называют усилителем с динамической нагрузкой. Коэффициент усиления по напряжению для дифференциального сигнала определяется отношением ширин каналов МДП-транзисторов (см. рис. 2.9) Т1 и ТЗ (или Т2 и Т4).
Технологически это отношение сделать большим очень трудно, поэтому в реальных структурах Кu диф обычно не превышает 10, и коэффициент ослабления синфазного сигнала у таких ДУ тоже меньше, чем у ДУ на биполярных транзисторах. Однако входные сопротивления велики как для дифференциального, так и для синфазного сигналов (более 1010 Ом). В дифференциальных усилителях на МДП-транзисторах обычно Rвх пл определяется утечками структуры. Для получения ДУ с очень большими входными сопротивлениями и с хорошими другими параметрами целесообразно использовать усилитель рис.2.9 в котором транзисторы Т1 и Т2 являются МДП-транзисторами.
|
В ИС широкое распространение получили замены резисторов транзисторами, которые, являются наиболее предпочтительными элементами для ИС. Пример такой замены приведен (см. рис. 2.9). Однако не только МДП-транзисторы, но и биполярные широко используются в усилительных ИС (в частности, в ДУ) вместо резисторов Rк, т. е. выполняют в усилителях функцию динамических нагрузок.
Например, в ДУ с динамической нагрузкой (рис. 2.10) выполнен на комплементарных транзисторах: n-p-n-транзисторах Т1, Т2 и p-n-p-транзисторах ТЗ и Т4. Транзисторы Т1 и Т2 выполняют свои обычные функции усилительных элементов, а транзисторы Т3 и Т4 - нагрузочных элементов, т. е. резисторов. Транзистор Т3 включен по схеме диода. Предположим, что на базу у транзистора Т1 приложена в рассматриваемый момент положительная полуволна Uвх1. В результате в цепи транзистора Т3 возникает приращение тока (∆Iк1), протекающего в направлении, указанном стрелкой (см. рис. 2.10).
За счет этого тока возникает приращение напряжения между базой и эмиттером Т3, которое является приращением входного напряжения для транзистора Т4. Таким образом в цепи «эмиттер – коллектор» Т4 возникает приращение тока, практически равное ∆Iк1, поскольку в ДУ плечи симметричны. Структуру, основой которой являются транзисторы Т3 и Т4, принято называть отражателем тока, или токовым зеркалом. Отражатели тока находят широкое применение в современных ИС непрерывного действия.
|
Итак, в рассматриваемый момент на базу транзистора Т2 приложена отрицательная полуволна Uвх2. Следовательно, в цепи его коллектора появилось отрицательное приращение тока (∆Iк2), протекающего в направлении, указанном стрелкой
(см. рис. 2.10). При этом приращение тока нагрузки для ДУ равно:
∆Iк1 + ∆Iк2,
т.е. ДУ с отражателем тока обеспечивает большее усиление дифференциального сигнала. В данном случае
Кuдиф = βRн / (Rг + Rвх).
Необходимо также отметить, что для рассматриваемого варианта ДУ в режиме покоя ток нагрузки равен нулю.
В многокаскадных УПТ Rн является входным сопротивлением последующего каскада, значение которого, как было показано ранее, может быть очень большим. Таким образом, ДУ с отражателем тока является усилителем с большим Кu диф и, естественно, обладает всеми преимуществами дифференциальных усилителей.
|
|
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!