Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Теоретическая значимость работы: Описание теоретической значимости (ценности) результатов исследования должно присутствовать во введении...
Интересное:
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2024-02-15 | 25 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Основой полупроводниковой технологии является создание переходов путем легирования. Сущность легирования состоит во внедрении легирующей примеси в кристаллическую решетку полупроводника и образование области с противоположным типом проводимости. Эта область ограничивается p-n переходом. Количество вводимой примеси должно быть достаточным для компенсации ранее введенной примеси и создания ее избытка.
Легирование можно осуществлять путем термической диффузии примеси в полупроводник, нагретый до высокой температуры, и внедрением ионов примеси с высокой энергией (ионное легирование). В настоящее время наиболее распространенным является метод диффузии.
Диффузией называют перенос вещества, обусловленный хаотическим тепловым движением атомов, возникающий при наличии градиента концентрации данного вещества и направленный в сторону убывания этой концентрации. Ввиду конечной скорости диффузии концентрация введенной примеси убывает в направлении от поверхности, через которую происходит диффузия, вглубь. Переход образуется на глубине , где концентрация введенной примеси оказывается равной концентрации исходной примеси .
При формировании диффузионных p – n – переходов диффузия, как правило, проводится в две стадии, за исключением диффузии донорных примесей (P, As, Sb) на глубину меньше 2 мкм. В этом случае диффузию проводят в одну стадию. Задачей расчета является определение температуры и времени диффузии на каждом этапе. Исходными данными для расчета являются поверхностная концентрация или поверхностное сопротивление диффузионной области и глубина залегания p – n – перехода .
Основное уравнение, используемое при расчете режимов диффузии -это равенство концентраций введенной и исходной примесей на глубине залегания p – n – перехода
|
, где концентрация введённой примеси на глубине залегания p-n перехода;
и |
В качестве легирующей примеси используется бор и фосфор, параметры которых представлены в таблице 3.1
Таблица 3.1 Параметры легирующих примесей
Из рисунка 2.7 видно, что для дальнейшего расчета необходимо определить поверхностную концентрацию диффузионной области p-типа. Так как по заданию не известна концентрация подложки, то из маркировки КЭФ – 0,1 видно, что объёмное сопротивление подложки . По графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К определяется концентрация примеси в подложке, которая составила .
Концентрация примеси в подложке определенная по графику зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия (Рис 3.1).
Рисунок 3.1– График зависимости удельного сопротивления кремния и арсенида галлия от концентрации примесей при 300 К
|
|
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!