Ионно-плазменное, высокочастотное и магнетронное напыление

Образование потока частиц и их распространение в плазме газового разряда. Конденсация частиц и образование пленки. Физическое катодное распыление. Реактивное катодное распыление. Ионно-плазменное распыление. Высокочастотное и магнетронное распыление.

 

24Термическое оксидирование

Техника процесса. Окисление кремния при комнатной температуре. Физический механизм роста окисла при высокой температуре. Химические реакции.

Варианты методов получения оксидных пленок на кремниевых пластинах

Термическое оксидирование при повышенном давлении. Термическое оксидирование с добавлением паров хлористого водорода. Выбор режимов и условий выращивания термического оксида.

 

26Свойства двуокиси кремния

Структура двуокиси кремния Факторы, влияющие на пористость двуокиси кремния.

Химическое осаждение пленок из парогазовой фазы

Сущность процесса осаждения пленок из парогазовой фазы (ПГФ). Особенности осаждения пленок из ПГФ по сравнению с напылением.

Основы процессов эпитаксии. Эпитаксиальные структуры

Методы получения эпитаксиальных пленок. Основные эпитаксиальные структуры (однослойные многослойные, структуры со скрытыми слоями, гетероэпитаксиальные структуры).

 

29Особенности эпитаксии по сравнению с диффузией и ионным легированием

Основные особенности эпитаксии по сравнению с диффузией и ионным легированием.

30Эпитаксия из парогазовой фазы. Хлоридный и силановый методы

Химическая реакция хлоридного метода и ее режимы. Управление процессом эпитаксии из парогазовой фазы. Графики зависимости скорости роста пленки от температуры и молярной концентрации тетрахлорида кремния.

31Диффузионное легирование

Механизмы диффузии. Растворимость примесей. Диффузия из бесконечного постоянного источника. Распределение примесей по глубине.

Особенности проведения операций диффузии

Особенности процесса легирования пластин при локальной диффузии. Влияние оксидной маски на распределение примесей при легировании. Двустадийная диффузия (загонка и диффузионный отжиг).

33 Техника выполнения диффузионного легирования

Способ проточной трубы. Источники примеси – диффузанты. Твердые, жидкие и газообразные источники и техника их применения. Поверхностные твердые источники.

34Дефекты и контроль эпитаксиальных и диффузионных структур

Дефекты, образующиеся при выращивании эпитаксиальных слоев (дислокации, дефекты упаковки, дефекты роста). Разрушающие методы контроля эпитаксиальных слоев. Бесконтактный метод ИК–интерферометрии. Зондовые методы контроля электропараметров эпитаксиальных структур. Дефекты и контроль диффузионных слоев. Распределение концентрации примеси по толщине диффузионного слоя.

35Ионное легирование. Ориентированное внедрение ионов

Достоинства ионного легирования. Зависимость концентрации примеси и глубины ее залегания от параметров. Применение ионного легирования при изготовлении БИС. Ориентированное внедрение. Зависимость глубины проникновения от различных параметров.

36Разориентированное внедрение ионов

Распределение примеси по глубине при разориентированном внедрении. Траектория движения ионов при внедрении. Отжиг после ионного внедрения.

Техническое осуществление метода ионного легирования

Условия проведения ионного легирования. Сепарация ионов. Основные параметры ионного легирования. Применение ионного легирования при изготовлении областей БИС и СБИС.

Особенности изготовления и сравнительные характеристики структур биполярных микросхем

Вертикальные транзисторные структуры с коллектором в подложке. Горизонтальные транзисторные структуры для ИМС. Виды изоляции транзисторных структур.

39Этапы изготовления биполярных интегральных микросхем

Очистка поверхности пластины. Формирование скрытого слоя. Применяемые диффузанты. Наращивание эпитаксиального слоя. Формирование охранных колец. Базовая и эмиттерная диффузии. Создание оксидной маски и слоя металлизации.

 

40Формирование областей биполярных транзисторов

Кристаллографическая ориентация и содержание примеси в пластине. Требования к диффузантам для скрытого слоя. Допустимые концентрации в областях транзистора.