Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Аура как энергетическое поле: многослойную ауру человека можно представить себе подобным...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2017-11-17 | 259 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики p - n перехода; определение параметров перехода.
Приборы и оборудование: источник питания, измерительное устройство с полупроводниковым диодом и вольтметром.
Теоретическое введение
Основным элементом полупроводниковых приборов является p - n переход, который представляет собой тонкий слой на границе раздела двух полупроводников различного типа электропроводности. Из-за неравномерности концентраций носителей происходит взаимная диффузия (электроны, в основном, диффундируют из полупроводника n -типа в полупроводник p -типа, а дырки в противоположном направлении). В результате этого процесса вблизи границы раздела n -область заряжается положительно (положительный заряд ионов не скомпенсирован зарядом электронов), а p -область отрицательно (рис. 1).
Рис. 1
Рис. 1
Эти объемные заряды образуют у границы двойной электрический слой, поле которого, направленное от n -области к p -области препятствует дальнейшему переходу электронов из n в p и дырок из p в n. Этот слой называется запирающим слоем. Типичная толщина слоя около 0,1 мкм. Наличие контактного поля приводит к тому, что в области p - n перехода возникает искривление энергетических зон и образуются потенциальные барьеры для электронов и дырок. Эти барьеры способствуют уходу из соответствующих областей неосновных носителей. Ток неосновных носителей (ток проводимости) уравновешивается диффузионным током, если на p - n переход подается внешняя разность потенциалов.
Если к p - n переходу присоединить источник тока таким образом, что внешнее поле совпадает по направлению с контактным, высота барьера увеличивается, что приводит к уменьшению диффузного тока. Такое подключение называется обратным. Ток проводимости практически не меняется с увеличением напряжения вследствие малой концентрации неосновных носителей (обратная ветвь вольт-амперной характеристики). Значение обратного тока через p - n переход при больших обратных напряжениях называют током насыщения ().
|
Если изменить полярность напряжения так, что под действием внешнего поля потенциальный барьер уменьшится (прямое подключение), то ток проводимости практически останется неизменным, а диффузионный ток начнет увеличиваться по экспоненциальному закону (прямая ветвь вольт-амперной характеристики) (рис. 2.).
, (1)
где e – заряд электрона; T – температура; k – постоянная Больцмана; U – внешнее напряжение.
Таким образом, p - n переход обладает односторонней (вентильной) проводимостью.
|
Рис. 2
Методика эксперимента
Для измерения вольт-амперной характеристики полупроводникового диода входное напряжение подается на включенный последовательно с диодом резистор или в зависимости от того, какая из ветвей характеристики (прямая или обратная) снимается. Ток можно определить, измерив напряжение , подаваемое на резистор или , и напряжение на диоде :
. (2)
Резистор = 390 Ом, = 33 кОм. При измерении показания вольтметра PV1 следует умножить на 0,02 В. При изменении прямой ветви и обратной показания вольтметра PV2 нужно умножить на 0,014 и 0,085 В соответственно. Разные коэффициенты используются из-за того, что токи существенно отличаются и поэтому применяются различные добавочные сопротивления.
Порядок выполнения работы
1. Включить измерительную схему.
2. Меняя потенциометром R ток диода, снять прямую ветвь вольт-амперной характеристики. На начальном участке характеристики следует получить возможно большее число точек.
3. Изменить полярность включения диода. Меняя потенциометром R напряжение , снять обратную ветвь вольт-амперной характеристики аналогично п. 2.
|
4. По формуле (2) рассчитать ток диода.
5. Результаты измерения и вычислений занести в таблицу.
6. Построить вольт-амперную характеристику, используя разные масштабы по оси тока (mA для прямого тока и mkA для обратного тока).
7. Оценить из вольт-амперной характеристики потенциальный барьер p - n перехода U 0, проведя касательную к прямой ветви характеристики (см. рис. 2).
8. Определить ток насыщения IS из вольт-амперной характеристики.
Таблица
Ветвь хар-ки | , дел | , В | , дел | , В | |
Прямая | |||||
Обратная | |||||
Контрольные вопросы
1. Что представляет собой полупроводник n -типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?
2. Что представляет собой полупроводник p -типа? Что является основными носителями тока в таком полупроводнике?
3. Объяснить механизм возникновения запирающего слоя в p-n переходе.
4. Что происходит в p-n переходе при действии внешнего напряжения? Объяснить характер проводимости при прямом и обратном подключении p-n перехода. Какой ток больше прямой или обратный?
5. Объяснить ход вольт-амперной характеристики.
6. Как оценить из вольт-амперной характеристики высоту потенциального барьера и ток насыщения?
Литература
1. Савельев И.В. Курс общей физики. параграф 20.1, Т. 2 – М.: Наука. 1988, 496 с.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 15
|
|
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!