Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Топ:
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Интересное:
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Дисциплины:
2017-11-16 | 289 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Комплементарная пара -это пара транзисторов, сходных по абсолютным значениям параметров, но имеющих разные типы проводимостей – МДП транзисторы с встроенным или индуцированным каналом p-типа и n-типа. КМДП - комплементарные МДП-транзисторы- взаимодополняющие, сформированные в одном кристалле p- и n-транзисторы. Нагрузочные МДП-транзисторы используют в составе микросхем в качестве резисторов. Необходимое значение сопротивления канала этих транзисторов создается конструктивно (выбор геометрических размеров канала) и схемотехнически (подачей на его затвор потенциала определенной величины).
Пример вентиля на комплементарной паре – инвертор – ключевая схема, содержащая активный транзистор и нагрузку, включенные между шиной питания и землей. Так же МДП-транзистор может служить в схеме в качестве конденсатора, для чего можно использовать емкости структур затвор-подложка и емкости обратносмещенных (когда транзистор не открыт) p-n-переходов сток(исток) – подложка.
Охранные кольца. При наличии положительного встроенного заряда в толстом окисле и положительного потенциала на алюминиевых шинах разводки создаются условия для формирования паразитного индуцированного n-канала в приповерхностных участках кремния p-типа электропроводности с низким уровнем легирования. Увеличение толщины диэлектрика над опасными участками не всегда возможно и не всегда гарантирует отсутствие паразитного канала. Эффективным средством против возникновения сквозных паразитных каналов является формирование кольцевой каналоограничивающей p+-области, в которой инверсия проводимости вследствие высокого уровня легирования поверхности практически невозможна. Для полного исключения возможности формирования паразитного канала на p+-область охранного кольца можно подать самый низкий потенциал схемы.
|
В цифровом вентиле с разным типом канала соотношение длин и ширин топологических размеров каналов нагрузочного и переключающего транзисторов определяется исходя из того, что транзисторы работают в противофазе, а следовательно, отношение сопротивлений нагрузочного и переключающего транзисторов не критично. Поэтому длина и ширина канала нагрузочного транзистора могут быть такими же как и у переключающего транзистора.
Исключение образования ложных каналов организуется с помощью охранных колец (на поверхности кольца концентрация примеси высока (высокий уровень легирования) в следствии чего исключается образование ложных каналов).
15. Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов ГИС, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов ИМС?
Когда размеры элементов сапостовимы с длиной волны, приходится учитывать фазовые явления, связанные с пространством и временем. Эти фазовые явления предоставляют возможность проектировать устройства через выбор пространственных координат (размеров) в отношении длины волны.
Когда размеры сопоставимы с длиной линии то это распределяет структуры у которых нагрузки д.б подключения с согласованием по отражениям.
Проектировать элементы можно на основе пространственных координат.
Сопротивление нагрузки в.б = линии.
Согласующие линии что бы энергия не отражалась.
Требования задаются выбором линейных размеров топологических форм.
16. По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
Резисторы гибридных интегральных микросхем проектируются по трем критериям:
- критерий технологической совместимости или возможности (минимальные размеры, поддерживаемые технологией, погрешности линейных размеров, погрешности совмещения в смежных слоях);
- точность исполнения (номинальное сопротивление и допустимые значения его отклонений: производственное и эксплуатационное);
- рассеиваемая мощность.
Формы: ленточные, изогнутые.
|
|
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Историки об Елизавете Петровне: Елизавета попала между двумя встречными культурными течениями, воспитывалась среди новых европейских веяний и преданий...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!