Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Топ:
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Дисциплины:
2017-10-16 | 251 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
|
Рисунок 22 – Топологические схемы полевых транзисторов (ПТ) с одним управляющим p-n -переходом (а), с двумя управляющими p-n -переходами (б), принципиальная схема (в) включения с общим истоком ПТ с двумя управляющими p-n -переходами, условные схемотехнические обозначения ПТ с каналами n -типа и p- типа (г): И – исток, С – сток, З ‑ затвор
На рисунке 23 приведены топологические схемы МДП-транзисторов со встроенным и индуцированным каналами, трехмерное схематическое изображение одного из МДП-транзисторов, а также схемотехнические изображения указанных транзисторов.
а) б) г)
в)
Рисунок 23, а-д - Топологические схемы МДП-транзисторов со встроенным (а) и индуцированным (б) каналами, трехмерное схематическое изображение одного из МДП-транзисторов (в), а также схемотехнические изображения МДП-транзисторов (г, д): П - подложка
|
|
Рисунок 23 е, ж - Схемотехнические изображения МДП-транзисторов со встроенным (е) и индуцированным (ж) каналами n - и р -типа при различных способах подключения подложки
_______________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
Примечание: Рисунок 3(24) является увеличенным фрагментом в) рисунка 23, в.
Рисунок 24 - Схематическое изображение архитектуры n -канального МОП-транзистора
Схематическое трехмерное изображение МОП-транзистора со встроенным каналом практически не отличается от приведенного на рисунке 24, что следует, например, из сопоставления двумерных схематических изображений, показанных на рис. 23, а и рис. 23, б.
Начиная с 1960 года, когда были изготовлены первые кремниевые МОП-транзисторы, под влиянием требований повышения уровня интеграции электронных схем для обеспечения возрастания объема оперативной компьютерной памяти, и до настоящего времени характерный размер отдельного элемента оперативной памяти (МОП-транзистора) уменьшался, а число таких элементов на поверхности одного кристалла (чипа с площадью поверхности около 1-2 см2) соответственно быстро увеличивалось со временем.
|
|
Рисунок 25 – Зависимость числа МОП-транзисторов на кристалле от времени (возле точек на графике указаны типы микросхем и процессоров с соответствующими кристаллами)
Остальные комментарии по этому вопросу следует смотреть на страницах 5-6 настоящего файла.
Основные преимущества
|
|
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!