Таксономические единицы (категории) растений: Каждая система классификации состоит из определённых соподчиненных друг другу...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
Топ:
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
2017-07-25 | 530 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Подавляющее большинство устройств вычислительных машин и систем реализуются на базе полупроводниковых технологий в виде сверхбольших интегральных микросхем (СБИС). Каждое нововведение в области архитектуры вычислительных машин и систем требует усложнение схемы процессора или его составляющих и, следовательно, размещения на кристалле СБИС все большего количества логических или запоминающих элементов.
Решение подобной задачи возможно двумя путями:
|
Увеличение размера кристалла связано с технологическими трудностями выращивания кристаллов особо чистых веществ. Кристаллической подложкой микросхемы служит тонкая пластина, являющаяся срезом цилиндрического бруска полупроводникового материала. Полезная площадь подложки ограничена вписанным в окружность квадратом или прямоугольником. Увеличение диаметра кристаллической подложки на 10% на практике позволяет получить до 60% прироста количества транзисторов на кристалле. Изготовление кристалла большего размера без ухудшения однородности его свойств во всем объеме связано с большими технологическими трудностями, с достижениями физической химии. Тенденции увеличения размеров кристаллической подложки иллюстрируются на рис.1.13.
Точки излома на графике соответствует годам, в которые изменение размера кристалла было повсеместно. Каждому переходу обычно предшествуют исследования (2 – 3 года), переход на пластины увеличенного диаметра происходит в среднем один раз в 9 лет. Увеличение емкости СБИС связано с уменьшением размеров элементарных транзисторов и, следовательно, с увеличением плотности их размещения на кристалле. Эту тенденцию эволюции СБИС описывает эмпирический закон Мура. В 1995 году Мур уточнил свои предсказания, заметив, что начиная с 80-х темп спадает и удвоение числа транзисторов далее будет происходить каждые 24 месяца.
|
Создание интегральных микросхем начинается с изготовления методом литографии маски, определяющей структуру будущей микросхемы. Далее маска накладывается на полупроводниковую пластину и облучается, в результате чего и формируется микросхема. Технология литографии позволяет получить размер элемента, не превышающего 0,13 мкм. Новая тенденция в технологии - переход от алюминиевых соединительных линий на кристалле на медные позволяет повысить быстродействие СБИС примерно на 10% с одновременным снижением потребляемой мощности. Медные проводники обладают меньшим электрическим сопротивлением, могут быть изготовлены меньшей ширины и, следовательно, можно увеличить плотность упаковки логических элементов в СБИС.
|
|
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!