Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Топ:
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Интересное:
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Дисциплины:
2017-06-25 | 489 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
С повышением частоты усиление, создаваемое транзистором, снижается. Рассмотрим эквивалентную схему транзистора, содержащую внутренние параметры транзистора для высоких частот, включённую по схеме с общей базой. Из представленной схемы видно, что на высоких частотах ёмкости и могут шунтировать и .
Поскольку располагается параллельно , имеющую очень малую величину (Омы): , поэтому даже на очень высоких частотах влияние незначительно. Ёмкость подключается параллельно (сотни кОм), поэтому при увеличении частоты сопротивление уменьшается и начинает шунтировать , соответственно эквивалентный генератор замыкается в основном на и не создаёт напряжение на . Другой причиной завала верхних частот в транзисторе является инерционность процессов в области базы, поскольку перенос носителей заряда требует определённого времени. Поэтому для улучшения частотных свойств транзистора следует уменьшить толщину базы, при этом уменьшается время переноса носителей заряда через базу.
Шумы в транзисторах.
При большом коэффициенте усиления, в приборе, включенном на выходе усилителя слышен шум или шорох (даже при отсутствии сигнала на входе). Чем больше коэффициент усиления, тем больше собственный шум приёмника.
Исследования показали, что токи и напряжения в электрических цепях совершают небольшие хаотичные колебания (флюктуации). Это происходит за счёт теплового движения электронов. При повышении температуры флюктуации усиливаются. При усилении сигнала флюктуации проявляются в виде шумов.
При исследовании постоянного тока было выявлено, что помимо постоянной составляющей , он содержит и переменную составляющую . Объясняется это тем, что количество электронов, проходящих через поперечное сечение проводника в равные малые промежутки времени, разное.
|
В ходе экспериментов было доказано, что шумовой ток представляет собой сумму переменных составляющих с различными частотами от нуля до сверхчастот. Однако любой усилитель пропускает колебания лишь в определённом диапазоне частот. Поэтому на выходе усилителя будет восприниматься лишь часть составляющих шума, определяемая шириной полосы пропускания частот данного усилителя.
Собственные шумы транзисторов ограничивают чувствительность приёмников и устройств, предназначенных для обнаружения, усиления и измерения слабых сигналов. В случае, когда полезный сигнал слабее собственных шумов, обнаружение таких сигналов практически невозможно.
За счёт происходящих флюктуации, в любом резисторе наводится шумовая ЭДС. Действующее значение этой ЭДС определяется формулой Найквиста:
где k – постоянная Больцмана (1,38 ).
Т – абсолютная температура, К.
Полный шум, возникающий в транзисторе, имеет несколько составляющих.
- Тепловые шумы. Обуславливаются тепловыми флюктуациями электронов в любом транзисторе. Так как все области транзистора обладают сопротивлением, то в них возникают шумовые напряжения. Поскольку сопротивления эмиттерной и коллекторной области сравнительно малы, то основную роль в создании тепловых шумов имеет сопротивление базы.
-Дробовые шумы. Определяются флюктуациями инжекции и экстракции в эмиттерном и коллекторном переходе.
- Шумы токораспределения (ток эмиттера между током коллектора и базы)
- Рекомбинационные шумы. Происходит за счёт процессов рекомбинации.
- Мерцательные шумы. За счёт флюктуации токов утечки с поверхности полупроводников.
Для оценки шумовых свойств транзисторов служит коэффициент шума :
Отношение мощности полезного сигнала к мощности шумов на выходе меньше, чем на входе, так как обе мощности на выходе усилены в k раз, но к мощности шумов транзистор добавляет ещё собственный шум показывает во сколько раз это отношение на входе больше, чем на выходе.
|
принято измерять в дБ:
(при значение Fбудет 10,20,30 дБ)
По частоте шумы распределены неравномерно. В диапазоне средних частот F имеет минимальное и примерно постоянное значение.
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!