Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Эволюция кровеносной системы позвоночных животных: Биологическая эволюция – необратимый процесс исторического развития живой природы...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
2024-02-15 | 23 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Полевые транзисторы широко используются при создании усилителей, переключателей и других устройств, как в дискретном, так и в интегральном исполнениях.
В зависимости от особенностей физических принципов действия, конструкции, полупроводникового материала полевые транзисторы делятся на многочисленные типы, одним из которых является полевой транзистор с
р– n -переходом в качестве затвора.
Рис. 6.1 |
В общем случае расчет вольт-амперных характеристик полевого транзистора представляет собой весьма сложную задачу, так как требует учета многих факторов: двумерного характера электрического поля, сложной зависимости скорости электронов от напряженности электрического поля (особенно в короткоканальных транзисторах), отсутствия резкого края проводящего канала как со стороны ОПЗ, так и со стороны подложки. Очевидно, что такой анализ возможен только в рамках численной модели.
В случае длинноканального транзистора , который и исследуется в данной работе, все упомянутые явления оказываются малосущественными, что резко упрощает модель и допускает аналитическое решение. В основу этой модели, предложенной В. Шокли и названной «моделью плавного канала», положены следующие допущения:
|
1. Канал имеет плавную форму, т. е. эквипотенциали ОПЗ проходят практически параллельно границе «канал–подложка», что означает поперечный характер поля в ОПЗ и продольный – в канале.
2. ОПЗ имеет резкую границу, т. е. тепловое размытие отсутствует.
3. Подвижность электронов в канале постоянна, т. е. напряженность электрического поля невелика и насыщения скорости не происходит.
Эти допущения дают возможность построить одномерную модель, из которой следует выражение для стоковой (выходной) вольт-амперной характеристики:
, | (6.1) |
где – ток отсечки канала ( – подвижность носителей; – заряд электрона; – уровень легирования канала; – абсолютная диэлектрическая проницаемость полупроводника); – напряжение отсечки канала; – диффузионный потенциал p +–n-перехода (контактная разность потенциалов), k – постоянная Больцмана, T – абсолютная температура; – уровень легирования р+-слоя; – собственная концентрация полупроводника.
Рис. 6.2 |
Причина насыщения тока заключается в перекрытии канала ОПЗ у стокового конца затвора. Толщина ОПЗ для резкого p–n-перехода зависит от напряжения следующим образом:
, | (6.2) |
где – текущее значение потенциала в канале.
У стокового конца затвора и толщина ОПЗ максимальна. При некотором значении напряжения происходит отсечка (прокол) канала, т. е. h = a. Это значение напряжения связано с напряжением отсечки канала (с помощью выражения (6.2)):
|
. | (6.3) |
Очевидно, что в области прокола канала, где его сечение стремится к нулю, скорость электронов, а следовательно, и напряженность электрического поля должны стремиться к бесконечности вследствие закона непрерывности полного тока: . Поскольку скорость электронов ограничена скоростью насыщения, то реально полной отсечки канала за счет напряжения стока не происходит, высота канала остается равной дебаевской длине , определяющей степень размытия границы ОПЗ. Так как область прокола в длинноканальном транзисторе составляет малую долю от общей длины, то нарушение исходных предположений практически не влияет на вольт-амперные характеристики.
На основе (6.1) можно получить и передаточную вольт-амперную характеристику. Для этого подставим и получим зависимость тока насыщения от напряжения затвора :
. | (6.4) |
На рис. 6.3 представлена передаточная вольт-амперная характеристика полевого транзистора. Напряжение соответствует отсечке канала, т. е.
. | (6.5) |
На основе формулы (6.1) можно получить характеристики двух важных параметров – крутизны и проводимости канала:
, | (6.6) |
. | (6.7) |
Здесь .
В линейной области характеристики выражение для проводимости канала имеет вид
. | (6.8) |
Рис. 6.3 |
, | (6.9) |
где – емкость «затвор–канал»; – время пролета под затвором, оказывается прямо пропорционально подвижности и обратно пропорциональна квадрату длины затвора .
Уменьшение длины затвора влечет за собой увеличение крутизны и уменьшение емкости. Поэтому для получения высоких значений отсечки транзистор должен быть изготовлен из полупроводника с высокой подвижностью (скоростью насыщения) и иметь короткий затвор.
Как следует из приведенных выражений для крутизны и проводимости канала, они связаны с физико-топологическими параметрами транзисторной структуры, что дает возможность их определения на основе измерения вольт-амперных характеристик.
|
|
|
Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Своеобразие русской архитектуры: Основной материал – дерево – быстрота постройки, но недолговечность и необходимость деления...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!