Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Интересное:
Что нужно делать при лейкемии: Прежде всего, необходимо выяснить, не страдаете ли вы каким-либо душевным недугом...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
2021-03-18 | 485 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Физическая структура.
Отличия от МОП-структур.
1. В ПТШ затвор кладётся прямо на -слой.
2. Из структуры видно, что металлический затвор и -активный слой образуют диод Шоттки (металл-полупроводник), т.е. через этот затвор будет протекать ток.
Принцип работы.
Если ничего не подавать на затвор, то активные электроны, расположенные в -слое под затвором, уходят в металл (электроны всегда переходят в металл из полупроводника из-за разницы работ выхода). Под электродом образуется обеднённая область, в которой подвижных электронов нет.
Если, теперь приложить разность потенциалов , то по оставшемуся в -слое каналу потечёт ток стока .
Если подать , тогда в обеднённую область начнёт подтягиваться определённое количество электронов. Объём обеднённой области при этом будет уменьшаться, сечение канала увеличиваться и ток стока будет тоже расти.
Электрические характеристики и параметры ПТШ на арсениде галлия.
ВАХ ПТШ очень похожи на ВАХ МОПТ. Они также имеют крутой и пологий участки.
1. Триодный (крутой) участок ().
Из теории ПТШ можно показать, что ВАХ описывается выражением закона степени .
, (28)
где - концентрация донорной примеси в активном -слое.
Из этого выражения видно, что в ПТШ ток в зависимости от напряжения на электродах прибора растёт медленней, чем в МОП-структурах, где ВАХ описываются квадратными уравнениями.
Параметры уравнения:
- внутренняя проводимость ПТШ.
- коэффициент удельной крутизны МОПТ (для сравнения). Т.о. между и имеется полная аналогия.
- внутренний встроенный потенциал контакта Шоттки.
|
2. Пентодный (пологий) участок ().
, (29)
где .
Доопределим напряжение отсечки:
.
НО и НЗ ПТШ на .
На практике различают два типа ПТШ: нормально открытые и нормально закрытые ПТШ.
Нормально открытые ПТШ.
Это приборы, у которых в исходном состоянии канал не перекрывается обеднённой областью, в исходном состоянии. Для НО ПТШ параметр имеет большие значения ().
Для НО ПТШ .
Нормально закрытые ПТШ.
В исходном состоянии канал автоматически перекрыт обеднённой областью и так нет: . Для НЗ ПТШ параметр имеет малые значения ().
Для НЗ ПТШ .
Входные ВАХ НО и НЗ ПТШ.
ВАХ для тока затвора ПТШ.
В отличие от МОПТ, в ПТШ имеет место ток затвора , равный току диода Шоттки.
В практических схемах исток заземляется, поэтому ток затвора течёт в исток. Тогда суммарный ток истока
.
(т.к. при начинает работать диод Шоттки и к току стока добавляется ток затвора ).
Т.о. в ПТШ, как и в БТ, имеется 2 тока, а не 1 как в МОПТ.
.
, (30)
где - коэффициент неидеальности диода Шоттки.
Можно показать, что для контакта Шоттки
,
где - площадь затвора;
- постоянная Ричардсона;
- потенциал барьера Шоттки.
Эквивалентная схема ПТШ.
и рассчитываются на основании конструкции и справочных данных.
Ключи на БТ.
Транзистор переходит в насыщение и устанавливается напряжение .
1. Участок .
; ; (31)
2. Участок .
;
(32)
(33)
|
(34)
(35)
Подставляем (35) в (34):
(36)
Формула (36) выражает через на участке, где транзистор работает в нормальном режиме.
Нужно чтобы зона была как можно меньше. Для этого нужно увеличивать и уменьшать .
3. Участок .
(37)
(6)
|
|
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Наброски и зарисовки растений, плодов, цветов: Освоить конструктивное построение структуры дерева через зарисовки отдельных деревьев, группы деревьев...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!