Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Топ:
Основы обеспечения единства измерений: Обеспечение единства измерений - деятельность метрологических служб, направленная на достижение...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
История развития методов оптимизации: теорема Куна-Таккера, метод Лагранжа, роль выпуклости в оптимизации...
Интересное:
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Отражение на счетах бухгалтерского учета процесса приобретения: Процесс заготовления представляет систему экономических событий, включающих приобретение организацией у поставщиков сырья...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Дисциплины:
2018-01-05 | 557 |
5.00
из
|
Заказать работу |
|
|
Трёхэлектродная лампа, её устройство, принцип действия и применение.
Электрофизические свойства полупроводников.
Электронно – дырочный переход и его свойства.
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на использовании p-n -перехода. Физически это приконтактный слой толщиною в несколько микрон разновесных кристаллов.
На границе раздела возникает внутреннее электрическое поле p-n перехода, которое будет тормозящим для основных носителей заряда и будет их отбрасывать от границы раздела.
Приложим внешнее напряжение плюсом к p-области. Внешнее электрическое поле направлено навстречу внутреннему полю p-n перехода, что приводит к уменьшению потенциального барьера. Основные носители зарядов легко смогут преодолеть потенциальный барьер, и поэтому через p-n переход будет протекать сравнительно большой ток, вызванный основными носителями заряда.
Такое включение p-n перехода называется прямым, и ток через p-n переход, вызванный основными носителями заряда, также называется прямым током. Считается, что при прямом включении p-n переход открыт. Если подключить внешнее напряжение минусом на p-область, а плюсом на n-область, то возникает внешнее электрическое поле, линии напряжённости которого совпадают с внутренним полем p-n перехода. В результате это приведёт к увеличению потенциального барьера и ширины p-n перехода. Основные носители заряда не смогут преодолеть p-n переход, и считается, что p-n переход закрыт. Оба поля – и внутреннее и внешнее - являются ускоряющими для неосновных носителей заряда, поэтому неосновные носители заряда будут проходить через p-n переход, образуя очень маленький ток, который называется обратным током. Такое включение p-n перехода также называется обратным.
|
Свойства p-n перехода.
К основным свойствам p-n перехода относятся:
- свойство односторонней проводимости;
- температурные свойства p-n перехода;
- частотные свойства p-n перехода;
- пробой p-n перехода.
Устройство, применение, характеристики полупроводниковых диодов. Стабилитроны.
Конструкция полупроводниковых диодов. Основой плоскостных и точечных диодов является кристалл полупроводника n-типа проводимости, который называется базой транзистора. База припаивается к металлической пластинке, которая называется кристаллодержателем. Для плоскостного диода на базу накладывается материал акцепторной примеси и в вакуумной печи при высокой температуре (порядка 500 °С) происходит диффузия акцепторной примеси в базу диода, в результате чего образуется область p-типа проводимости и p-n переход большой плоскости (отсюда название).
Вывод от p-области называется анодом, а вывод от n-области - катодом (смотрите рисунок 28).
Управляемые выпрямители.
Ляющим тип усилителя
Каскады предварительного усиления.
Основные варианты оконечных каскадов.
Оконечный каскад служит для формирования сигнала с заданной мощностью на нагрузке при допустимом уровне искажений.
Оконечные каскады усилителей РЭО ВС классифицируют по следующим признакам:
по типу управляющего элемента- транзисторные и ламповые;
по схеме включения управляющего элемента- с общим эммитером (катодом), общей базой, общим коллектором;
по структуре схемы каскада – однотактные (с одним управляющим элементом или двумя, включенными параллельно), двухтактные (с двумя управляющими элементами, включенными последовательно или параллельно с нагрузкой по переменному току), двухтактно- параллельные (с четырьмя или более управляющими элементами, при этом в каждом двухтактном плече используется два или более управляющих элемента с параллельным соединением);
|
по режиму работы управляющего элемента- линейный режим (режим А) и нелинейные режимы (режимы В и АВ);
по виду связи управляющего элемента с нагрузкой – с трансформаторным или с бестрансформаторным выходом (с ёмкостной или с непосредственной связью).
В техническое название оконечного каскада должны входить все его классификационные признаки.
Электронный осциллограф. Структурная схема. Примеры использования осцилографа.
Электронный вольтметр.
Трёхэлектродная лампа, её устройство, принцип действия и применение.
|
|
Поперечные профили набережных и береговой полосы: На городских территориях берегоукрепление проектируют с учетом технических и экономических требований, но особое значение придают эстетическим...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
© cyberpedia.su 2017-2024 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!